1.FeTRAM Teknologi RAM Terbaru Hemat Daya Kombinasi Polimer & Nanowire Silikon
Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.
Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh lebih baik.
FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM tradisional.
Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih belum ada di pasaran
2. MRAM: Teknologi Terbaru Memori Komputer, 10 Kali Lebih Cepat dari RAM
Kecepatan komputer selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Beberapa waktu yang lalu super komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory komputer.
Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.
Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.Jika anda bingung dengan proses di atas, tidak usah dihiraukan juga tidak apa-apa. Atau kalau mau membaca sendiri yang versi inggris disini.
Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. KEcepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.
Tentu, kali ini bukan main-main IBM menggalang sebuah perusahaan Jerman. Pasalnya, MRAM merupakan teknologi masa depan. Memori tak lagi disimpan dalam bentuk elektronik, melainkan wujud magnetik.Beberapa hal yang diunggulkan dari teknologi ini adalah, biaya produksi yang lebih murah, flash memory yang tak mudah menguap, hemat baterai, serta memungkinkan kmputer dapat menyala seketika. Hebatnya bukan cuma komputer, teknologi chip MRAM bisa dimanfaatkan untuk aplikasi telepon selular dan konsol permainan.
Bahkan ketika kmputer dimatikan, MRAM masih bisa menyisakan informasi di dalamnya. Kemampuan ini memungkinkan komputer bisa start lebih cepat tanpa perlu melakukan booting software lebih dulu.Untuk teknologi MRAM, Infinion menyebutnya dengan sebutan ferro-electric RAM (Fe-RAM). Mereka telah melakukan riset intensif dalam lima tahun terakhir. Sementara itu, IBM juga telah mengembangkan teknologinya sejak 1974. Waktu itu mereka melakukan riset magnetic tunnel junction. Riset ini baru kesampaian pada 1998, ketika industri itu mencoba membikin protipe chip pertamanya.
Perpaduan keduanya, menghasilkan lompatan cukup jauh. Baik IBM maupun Infineon optimis, versi awal chip sakti ini bakal di lepas ke pasar tahun 2004 mendatang.Bila penelitian mereka tak ada aral, teknologi MRAM boleh jadi bakal menggantikan teknologi RAM yang saat ini ada. Secara teori sendiri, seluruh kehebatan RAM sebelumnya sudah tersedia dalam MRAM. Namun, MRAM masih memiliki segudang keunggulan yang tak dimiliki RAM paling maju.
Keunggulan nyata MRAM adalah gabungan keunggulan beberapa teknlogi RAM sebelumnya, yaitu high speed static RAM (SRAM), kapasitas memori dan biaya produksi serendah DRAM, dan flash memori-nya yang tak mudah menguap.Bila SRAM dan DRAM membutuhkan energi listrik dalam menyimpan data, maka MRAM tak bergantung pada 100 persen. Akibatnya, bila listrik padam, data tersimpan akan hilang seketika. MRAM masih dapat menyimpan data kendati arus listrik terputus tiba-tiba.
sumber : http://randhykakak.blogspot.com/2012/04/teknologi-ram-terbaru.html
Tentu, kali ini bukan main-main IBM menggalang sebuah perusahaan Jerman. Pasalnya, MRAM merupakan teknologi masa depan. Memori tak lagi disimpan dalam bentuk elektronik, melainkan wujud magnetik.Beberapa hal yang diunggulkan dari teknologi ini adalah, biaya produksi yang lebih murah, flash memory yang tak mudah menguap, hemat baterai, serta memungkinkan kmputer dapat menyala seketika. Hebatnya bukan cuma komputer, teknologi chip MRAM bisa dimanfaatkan untuk aplikasi telepon selular dan konsol permainan.
Bahkan ketika kmputer dimatikan, MRAM masih bisa menyisakan informasi di dalamnya. Kemampuan ini memungkinkan komputer bisa start lebih cepat tanpa perlu melakukan booting software lebih dulu.Untuk teknologi MRAM, Infinion menyebutnya dengan sebutan ferro-electric RAM (Fe-RAM). Mereka telah melakukan riset intensif dalam lima tahun terakhir. Sementara itu, IBM juga telah mengembangkan teknologinya sejak 1974. Waktu itu mereka melakukan riset magnetic tunnel junction. Riset ini baru kesampaian pada 1998, ketika industri itu mencoba membikin protipe chip pertamanya.
Perpaduan keduanya, menghasilkan lompatan cukup jauh. Baik IBM maupun Infineon optimis, versi awal chip sakti ini bakal di lepas ke pasar tahun 2004 mendatang.Bila penelitian mereka tak ada aral, teknologi MRAM boleh jadi bakal menggantikan teknologi RAM yang saat ini ada. Secara teori sendiri, seluruh kehebatan RAM sebelumnya sudah tersedia dalam MRAM. Namun, MRAM masih memiliki segudang keunggulan yang tak dimiliki RAM paling maju.
Keunggulan nyata MRAM adalah gabungan keunggulan beberapa teknlogi RAM sebelumnya, yaitu high speed static RAM (SRAM), kapasitas memori dan biaya produksi serendah DRAM, dan flash memori-nya yang tak mudah menguap.Bila SRAM dan DRAM membutuhkan energi listrik dalam menyimpan data, maka MRAM tak bergantung pada 100 persen. Akibatnya, bila listrik padam, data tersimpan akan hilang seketika. MRAM masih dapat menyimpan data kendati arus listrik terputus tiba-tiba.
sumber : http://randhykakak.blogspot.com/2012/04/teknologi-ram-terbaru.html
No comments:
Post a Comment